IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом

Потужний IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P застосовується в інверторах, блоках живлення, перетворювачах частоти та іншій силовій електроніці. Має високу надійність, здатність працювати з великими струмами й напругами, а також вбудований швидкий діод.

Призначений для промислових і побутових пристроїв: зварювальні апарати, джерела живлення, ДБЖ, перетворювачі напруги, зарядні станції та інше обладнання.

Переваги:

• Робоча напруга до 1200 В

• Максимальний струм колектора 25 А

• Вбудований швидкий діод для захисту та стабільності

• Корпус TO-3P з ефективним відведенням тепла

• Універсальне використання в силовій електроніці

Характеристики:

• Тип: IGBT транзистор

• Модель: FGA25N120 / 25N120

• Корпус: TO-3P

• Максимальна напруга: 1200 В

• Максимальний струм: 25 А

• Вбудований діод: є